LCD/PDP

XXXX在10月25日～27日期间在横浜召开的“LCD/PDP International 2000”上，各制造商争相展示批量生产低温多晶Si-TFT液晶的设备。由于低温多结晶Si-TFT液晶开始进入批量生产阶段，所以各设备厂商纷纷推出两产设备。特别引人注目的是形成Si多晶化的退火（Anneal）设备以及用于形成晶体管的离子注入设备。

　　退火设备在批量生产大型玻璃基板方面取得了进展。日本制钢所展示了对应700mm×900mm2水平玻璃基板的激光退火设备。住友重机械工业的设备目前还处于680mm×880mm2的水平，计划在2001年提高到700mm×900mm2。另外，石川岛播磨重工业（IHI）展示了可以提高多结晶均匀性的高压退火设备。

　　在离子注入设备方面，正在向各用途的专用化方向发展。IHI采用了不进行质量分析就能够一次性进行大面积处理的“离子冲淋（Shower）”技术，引进掺杂物。该技术可以用于源极（源极）和漏极（Drain）等需要引进高浓度掺杂物的部分。三井造船提供采用了质量分析法高精度引进掺杂物的技术。在要求高精度的通道及LDD等中，由于掺杂物的浓度较低，因此吞吐量的缓慢“不会成为大问题”（三井造船）。不过，今后将瞄准适用于源极和漏极，在1年半内将离子电流增加一倍的方法。除此以外，ATK也展示了面向低温多晶Si的CVD设备，日本真空技术则展示了CVD设备和溅射（Spatter）设备。(Nikkei Microdevices)