德成功研制出可存储和读写光信号的光存储芯片

2001/01/05   


(综合消息)德国慕尼黑技术大学最近成功地研制出可存储和读写光信号的光存储芯片,这是光计算机开发所取得的又一重大技术进展。 这种光存储芯片原理是利用半导体材料的光脉冲性能,例如砷化镓在光脉冲作用下会产生电子―空穴对,通常电子―空穴对在十亿分之一秒寿命下就会结束。

慕尼黑技术大学的科学家通过对半导体材料施加电压,可使电子和空穴两种载体在瞬间分开,当重新切断电压时,电子才能回到空穴中。光存储芯片就是由两层重叠的砷化镓晶片和中间一层绝缘材料制成的。 新的光存储芯片只有2×0.004毫米,其单位光存取速度可达每秒千兆,即每秒可以读写10亿比特的数据,这种高速数据加工能力可以用来开发图形识别和图像分析的光计算机,光存储芯片的研制成功还意味着将来可能用它取代电子芯片。

 

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