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三菱电机开发闸长80奈米CMOS电晶体 2000/12/16 |
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（综合消息）三菱电机成功开发出新世代CMOS电晶体，闸长仅80奈米，电路速度并较该公司的上一代产品提高30％，未来将以超微缩制程量产，与大容量记忆体混合装配，可作为数位资讯家电用途的系统IC。 将闸长缩短后，电晶体的性能虽提高，但便容易产生漏电现象。该公司采用的新Source Drain结构，以独家开发的双层「off-set ion」注入法，在闸极边缘镀上两层具备绝缘功能的酸化膜，结果成功抑制漏电，并同时达成高电压驱动效果。
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