（综合消息）Semicon Japan贸易展中，有关光学、超紫外线（EUV）及投影式电子束（e-beam）成本太高，Nikon、Canon及东芝（Toshiba）对于新一代0.1微米系统单晶（SOC）
设计，均看好采用直接写入（Direct write）电子束微影技术，并著手发展相关系统。

Nikon目前正发展SOC晶片用直接写入电子束系统，大量生产的晶片则采157奈米光学、投影式电子束及EUV技术。Nikon认为直接写入电子束较其他先进技术更具弹性，适用于各种0.1微米或以下的SOC设计。虽然产出量较低，但SOC设计核心产量本来就不高，因此并未造成太大问题。

Canon认为SOC设计较其他先进的晶片，每道制程步骤需要较昂贵的光罩，假设未来SOC最多需要12～15层光罩，已经是一大笔费用，再加上采0.1微米线宽，每层光罩的成本可能提高5万～10万美元，总计光罩成本将超过100万美元。直接写入电子束无需光罩，可替SOC省下高额成本。

东芝亦发展SOC元件用直接写入电子束，目前正致力于降低元件逻辑核心的曝光，以提高直接写入电子束的产出量。

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