(科学时报) 我国科技人员经过刻苦攻关，在光电子学领域又获重大突破。由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所承担的"无铝量子阱大功率激光器列阵"研究项目日前在长春通过鉴定。
有关专家认为，这种高功率半导体激光器列阵达到国际先进、国内领先水平。

半导体激光器的应用覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术。特别是高功率半导体激光技术已经成为发展国防工业的重要技术基础，世界上发达国家都非常重视高功率半导体激光器的研究及其在军事上的应用，美国国防部、宇航局、各军兵种以及国家实验室等20多个部门都在为武器装备研制高功率半导体激光器及其列阵。由于半导体激光列阵在军事领域的重要作用，国际上一直在20瓦以上的激光列阵项目上对我国限运。因此，发展与加快我国半导体激光器的研制与生产，得到我国科技界的普遍关注。

长春光机与物理所在半导体激光器的研制工作方面积累了良好的工作基础。1998年，他们在吉林省科技厅的资助下，深入开展了无铝量子阱大功率激光器列阵的研制工作，先后承担了"808nm半导体量子阱大功率激光器列阵器件"和"高功率半导体激光器(LD)列阵"研究课题。

经过科技人员的艰苦拼搏，解决了大功率激光器列阵散热、器件组装等关键技术，提高了激光器腔面损伤阀和斜率效率。他们还成功地将肖特基势垒接触电流限制技术应用于无铝激光器列阵器件结构中。该结构未见国内外报道，属国际上首创。研制出的808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs肖特基垒限流结构高功率半导体激光器列阵，经用户一年时间的使用证明：该器件输出功率稳定，冷却简便，而且快轴方向发散角仅32度，小于某些国外产品，有利于降低光束整形的难度和提高耦合效率。

另据介绍，由于该类激光器列阵具有体积小、结构简单、寿命长等优点，在工业、医疗、信息显示等领域，具有广泛的应用前景。为了适应市场需求，长春光机与物理所已与吉林华微电子股份公司就该项目的开发答成了合作协议，所用资金5800万元已全部到位，并已完成中试，计划明年3月投产，年产值可达8000万元。