IC为超高带宽分布型放大器，其栅极长度为0.15μm的Double Hetero结构HEMT，为了保持IC的接地稳定性能与强度采用了Grounded Coplanar布线。Double Hetero结构HEMT采用了AlGaAs/InGaAs/GaAs结构，通过电子束曝光形成栅极长度为0.15μm的晶体管。Grounded Coplanar布线通过在IC表面设置接地用金属与信号布线，以数十μm间隔在IC表面进行平面布线，并进一步在IC的背面设置接地用金属，改善了整体电路的接地稳定性能。超高帯宽分布型扩大器能够在40GHz以上的宽频带宽中以一定的增益放大数字信号。由此实现了在从直流到54GHz的范围内放大增益达15dB以上、输入反射系数-10dB以下、增益变化幅度为±0.5dB的特性。

此次开发的IC耗电量为0.9W，降低到了原有产品的1/2～1/3。