鸿亚在铼德等新股东加入，重新调整营运策略，改往光讯号收发器内的激光次模块（LD OSA）开发，原先锁定的光讯号收发器则交由铼德负责。在光电展中首度推出了2.5G LC type LD OSA，预计第四季量产。鸿亚在朝光主动元件上游开发，由激光芯片制程开始（Chip Process），TO Can封装，到次模块。至于最上游的磊晶（Epi），当前不论是F-P LD或垂直面射型激光（VCSEL）磊晶供给均不成问题，因此，鸿亚不会切入；但未来开发至DFB激光时，为掌握技术，届实会考虑切入上游磊晶开发。

预计2001年开始，因市场不景气，将有许多MOCVD厂可能因此倒闭；鸿亚不排除在2002年，以购并或其他方式来取得技术及产能。为加强客户关系，鸿亚已与美商Finisar达成策略联盟，自2.5G产品开始，将为Finisar代工生产OSA。

除光主动元件，鸿亚当前也积极开发光纤光栅（FBG）技术。鸿亚指出，开发FBG技术与切入Chip Process的理由一样，除降低成本议题，主要还是要掌握技术。

鸿亚当前除竹北厂外，向铼德承租的中坜厂，当前已盖450坪的新厂房，主要为Chip Process生产所需，当前生产线已架设完成，预计11月量产，2001年底单月月产能可达10万颗。